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场效应管

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品牌
不限
ADL/奥德利
ADV美国先进半导体
AEG美国AEG
AEI英国联合电子
AEL英德半导体器件
ALE美国
Alpha/阿尔法
AME挪威微电子
AMP美国安派克斯
AMS美国微系统
AO
AOS/美国万代
APT美国先进功率
ATE米兰ATES
ATT美国电话电报
展开
种类
不限
结型(JFET)
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
不限
N沟道
P沟道
导电方式
不限
增强型
耗尽型
更多属性
用途
不限A/宽频带放大AM/调幅C-MIC/电容话筒专用CC/恒流CHOP/斩波、限幅D-G双栅四极D/变频换流DC/直流DIFF/差分放大DUAL/配对管FM/调频GEP/互补类型HA/行输出级HF/高频(射频)放大HG/高跨导HI-IMP/高输入阻抗HI-REL/高可靠性L/功率放大LMP-C/阻抗变换MAP/匹配对管MIN/微型MIX/混频MOS-ARR/陈列组件MOS-FBM/全桥组件MOS-HBM/半桥组件MOS-INM/独立组件MOS-TPBM/三相桥MW/微波NF/音频(低频)O/振荡S/开关SW-REG/开关电源SYM/对称类TC/小型器件标志TEMP/温度传感TR/激励、驱动TUN/调谐TV/电视UHF/超高频UNI/一般用途V-FET/V型槽MOSV/前置(输入级)VA/场输出级VHF/甚高频VID/视频VR/可变电阻ZF/中放
封装外形
不限CER-DIP/陶瓷直插CHIP/小型片状LLCC/无引线陶瓷片载P-DIT/塑料双列直插SMD(SO)/表面封装SP/特殊外形WAFER/裸芯片
材料
不限ALGaAS铝镓砷GaAS-FET砷化镓GE-N-FET锗N沟道GE-P-FET锗P沟道HEMT高电子迁移率IGBT绝缘栅比极MES金属半导体N-FET硅N沟道P-FET硅P沟道SB肖特基势垒栅SENSEFET电流敏感SIT静电感应
 
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